III-V小样。

III-V小样。

开发者: Takuya Ishikawa

中国
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2024-12-05
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2011-10-31
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  • 323天14小时

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  • 2011-10-31

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  • 版本: 3.3

    版本更新日期

    2024-12-05

    III-V小样。

    III-V小样。

    更新日志

    ·定期更新。
    ·通过改进的显示器调整到更多机器分辨率。

    视频/截图

    III-V小样。 App 截图
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    III-V小样。 App 截图
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    应用描述

    应用以计算III-V族化合物半导体的组合物和材料特性。
    任一的InP或砷化镓假定为基材。
    一些组合物和AlGaInAsP化合物半导体的材料参数的指定来确定保持未知参数。
    以下性质被示出为一个结果是:电子和空穴的组合物(X,Y,Z),晶格常数,应变,带隙,导电带和价带的相对能量的位置,并且有效质量。
  • 版本: 3.2

    版本更新日期

    2023-07-13

    III-V小样。

    III-V小样。

    更新日志

    ·定期更新。
    ·通过改进的显示器调整到更多机器分辨率。

    视频/截图

    III-V小样。 App 截图
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    III-V小样。 App 截图
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    应用描述

    应用以计算III-V族化合物半导体的组合物和材料特性。
    任一的InP或砷化镓假定为基材。
    一些组合物和AlGaInAsP化合物半导体的材料参数的指定来确定保持未知参数。
    以下性质被示出为一个结果是:电子和空穴的组合物(X,Y,Z),晶格常数,应变,带隙,导电带和价带的相对能量的位置,并且有效质量。
  • 版本: 3.1

    版本更新日期

    2020-12-05

    III-V小样。

    III-V小样。

    更新日志

    ·调整到iOS 14。
    ·本地操作针对多个机器具有改进的显示。

    视频/截图

    III-V小样。 App 截图
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    应用描述

    应用以计算III-V族化合物半导体的组合物和材料特性。
    任一的InP或砷化镓假定为基材。
    一些组合物和AlGaInAsP化合物半导体的材料参数的指定来确定保持未知参数。
    以下性质被示出为一个结果是:电子和空穴的组合物(X,Y,Z),晶格常数,应变,带隙,导电带和价带的相对能量的位置,并且有效质量。
  • 版本: 3.0

    版本更新日期

    2020-04-05

    III-V小样。

    III-V小样。

    更新日志

    本地运行在多个机器与改善的显示。
    超过100种语言可以在应用程序中使用。
    因此,你可以选择你的母语。

    视频/截图

    III-V小样。 App 截图
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    应用描述

    应用以计算III-V族化合物半导体的组合物和材料特性。
    任一的InP或砷化镓假定为基材。
    一些组合物和AlGaInAsP化合物半导体的材料参数的指定来确定保持未知参数。
    以下性质被示出为一个结果是:电子和空穴的组合物(X,Y,Z),晶格常数,应变,带隙,导电带和价带的相对能量的位置,并且有效质量。
  • 版本: 2.2

    版本更新日期

    2014-03-07

    III-V族混晶

    III-V族混晶

    更新日志

    不具合の修正。
    複数解が存在する場合の計算に対応。
    前回プログラム終了時のパラメータを記憶。

    应用描述

    暂无应用描述数据

  • 版本: 2.1

    版本更新日期

    2013-09-27

    更新日志

    iOS7に対応。
    不具合の修正。

    应用描述

    暂无应用描述数据

  • 版本: 2.0

    版本更新日期

    2013-05-08

    更新日志

    iPhone5など4インチRetinaディスプレイに対応。
    iPadに対応。
    与えられた波長における屈折率の計算を追加。
    用いた物性パラメータの表示を追加。

    应用描述

    暂无应用描述数据

  • 版本: 1.0

    版本更新日期

    2011-10-31

    更新日志

    暂无更新日志数据

    应用描述

    暂无应用描述数据